Ученые Университета Лобачевского разрабатывают энергонезависимые микросхемы нового поколения, способные эффективно работать в экстремальных условиях

В настоящее время существующие виды оперативной памяти являются энергозависимыми, т.е. при отключении питания содержимое памяти стирается. Желание иметь энергонезависимую память в компьютерной технике давно стало очевидным. Разработки таковой ведутся давно и они уже есть. Основным элементом микросхемы является тонкая пленка ферроэлектрика. Ферроэлектриками называются вещества, у которых при отсутствии внешнего электрического поля в определенном интервале температур существует спонтанная электрическая поляризация. Таким образом, работа микросхемы может осуществляться в экстремальных условиях, т.е. при высоких температурах. В связи с этим необходимы сведения о термической устойчивости данных соединений. Учёными университета было изучено поведение полученных соединений при нагревании и установлен рабочий интервал температур материала микросхем. Устойчивость к воздействию температур позволит использовать данные микросхемы памяти на химических предприятиях для осуществления контроля над промышленными процессами в условиях синтеза, а также в пожароохранных системах, оснащенных системами видеозаписи. Подробнее с результатами исследования можно ознакомиться на официальном сайте вуза.

 

Поделиться:

Печать

Совет проректоров России:

Московский Студенческий Центр: